2SK3666-3-TB-E
MOSFET
N-Channel
SOT23
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
0.010 A
RDSon
200.0000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
0.200 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT23 |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.01 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 200 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3666-3-TB-E:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK3666-3-TB-E?
Los reemplazos compatibles para el 2SK3666-3-TB-E incluyen: 2SK3662, 2SK366, 2SK3663, 2SK3664, 2SK3546G0L, 2SK3546J, 2SK3547, 2SK3557-6-TB-E, 2SK3557-7-TB-E, 2SK3652, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK3666-3-TB-E?
El 2SK3666-3-TB-E es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT23.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3666-3-TB-E?
El 2SK3666-3-TB-E tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.010 A.