2SK3667
MOSFET
N-Channel
TO220SIS
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
7.500 A
RDSon
1.0000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
45.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220SIS |
| tr - Rise Time | 20 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 120 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 7.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 45 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3667:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK3667?
Los reemplazos compatibles para el 2SK3667 incluyen: 2SK3561, 2SK3562, 2SK3563, 2SK3567, 2SK3568, 2SK3569, 2SK3625, 2SK3662, 2SK3669, 2SK3797, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK3667?
El 2SK3667 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220SIS.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3667?
El 2SK3667 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 7.500 A.