2SK367
MOSFET
N-Channel
2-4E1B
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
0.007 A
RDSon
700.0000 Ω
Vgs Max.
3.500 V
Potencia Max.
0.200 W
Tj Max.
125.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | 2-4E1B |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.0065 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 125 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 3.5 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 700 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK367:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK367?
Los reemplazos compatibles para el 2SK367 incluyen: 2SK3667, 2SK3669, 2SK359, 2SK360, 2SK3611, 2SK3614, 2SK3656, 2SK3663, 2SK3664, 2SK3668, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK367?
El 2SK367 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado 2-4E1B.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK367?
El 2SK367 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.007 A.