2SK3676-01S
MOSFET
N-Channel
TO263
Parametros Principales
Vds Max.
900.000 V
Id Max.
6.000 A
RDSon
2.5000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
195.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO263 |
| tr - Rise Time | 8 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 100 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 6 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 195 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 900 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 2.5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3676-01S:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK3676-01S?
Los reemplazos compatibles para el 2SK3676-01S incluyen: 2SK3670, 2SK3673-01MR, 2SK3674-01L, 2SK3674-01S, 2SK3674-01SJ, 2SK3526-01SJ, 2SK3527-01, 2SK3528-01R, 2SK3529-01, 2SK3531-01, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK3676-01S?
El 2SK3676-01S es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3676-01S?
El 2SK3676-01S tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 900.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 6.000 A.