2SK3777-01R

MOSFET N-Channel TO3P

Parametros Principales

Vds Max. 300.000 V
Id Max. 53.000 A
RDSon 0.0580 Ω
Vgs Max. 30.000 V
Potencia Max. 210.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO3P
tr - Rise Time 58 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 610 pF
|Id| - Maximum Drain Current 53 A
Pd - Maximum Power Dissipation 210 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 30 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 300 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.058 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3777-01R:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2SK3777-01R?

Los reemplazos compatibles para el 2SK3777-01R incluyen: 2SK3743, 2SK3749, 2SK3756, 2SK375L, 2SK375S, 2SK3761, 2SK377, 2SK3775-01, 2SK3778, AP20N15AGH-HF, y 12 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2SK3777-01R?

El 2SK3777-01R es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.

¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3777-01R?

El 2SK3777-01R tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 300.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 53.000 A.

Scroll al inicio