2SK3779-01R

MOSFET N-Channel TO3P

Parametros Principales

Vds Max. 250.000 V
Id Max. 59.000 A
RDSon 0.0430 Ω
Vgs Max. 30.000 V
Potencia Max. 210.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO3P
tr - Rise Time 62 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 530 pF
|Id| - Maximum Drain Current 59 A
Pd - Maximum Power Dissipation 210 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 30 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 250 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.043 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3779-01R:

2SK3775-01 MOSFET N-Channel 2SK3777-01R MOSFET N-Channel 2SK3778 MOSFET N-Channel AP2305GN-HF MOSFET P-Channel AP2305N-HF MOSFET P-Channel AP2306AGEN-HF MOSFET N-Channel AP2306AGN-HF MOSFET N-Channel AP2306CGN-HF MOSFET N-Channel AP2306CGTN-HF MOSFET N-Channel AP2306GN-HF MOSFET N-Channel AP2307GN-HF MOSFET P-Channel 2SK3793 MOSFET N-Channel 2SK3794 MOSFET N-Channel 2SK3794-Z MOSFET N-Channel 2SK385 MOSFET N-Channel 2SK386 MOSFET N-Channel 2SK3863 MOSFET N-Channel 2SK3864 MOSFET N-Channel 2SK3868 MOSFET N-Channel 2SK3774-01S MOSFET N-Channel 2SK3774-01SJ MOSFET N-Channel 2SK3776-01 MOSFET N-Channel 2SK3778-01 MOSFET N-Channel

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2SK3779-01R?

Los reemplazos compatibles para el 2SK3779-01R incluyen: 2SK3775-01, 2SK3777-01R, 2SK3778, AP2305GN-HF, AP2305N-HF, AP2306AGEN-HF, AP2306AGN-HF, AP2306CGN-HF, AP2306CGTN-HF, AP2306GN-HF, y 13 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2SK3779-01R?

El 2SK3779-01R es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.

¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3779-01R?

El 2SK3779-01R tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 250.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 59.000 A.

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