2SK3789-01R
MOSFET
N-Channel
TO3PF
Parametros Principales
Vds Max.
150.000 V
Id Max.
92.000 A
RDSon
0.0260 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
210.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3PF |
| tr - Rise Time | 112 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 530 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 92 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 210 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 150 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.026 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3789-01R:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK3789-01R?
Los reemplazos compatibles para el 2SK3789-01R incluyen: 2N60, 2SK3779-01R, 2SK3782, 2SK3783, 2SK3771-01MR, 2SK3772-01, 2SK3773-01MR, 2SK3776-01, 2SK3778-01, 2SK3780-01, y 10 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK3789-01R?
El 2SK3789-01R es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3PF.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3789-01R?
El 2SK3789-01R tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 150.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 92.000 A.