2SK3876-01R
MOSFET
N-Channel
TO-3P
Parametros Principales
Vds Max.
900.000 V
Id Max.
13.000 A
RDSon
0.7900 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
170.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-3P |
| tr - Rise Time | 12 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 220 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 13 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 170 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 900 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.79 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3876-01R:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK3876-01R?
Los reemplazos compatibles para el 2SK3876-01R incluyen: 2SJ306, 2SJ72, 2SJ670, 2SJ164, 2SJ598, 2SJ598-Z, 2SJ557, 2SK2857, 2SK3025, 2SK1217-01R, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK3876-01R?
El 2SK3876-01R es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3876-01R?
El 2SK3876-01R tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 900.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 13.000 A.