2SK3878
MOSFET
N-Channel
SC65 TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
900.000 V
Id Max.
9.000 A
RDSon
1.3000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
150.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SC65 TO3P |
| tr - Rise Time | 25 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 190 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 9 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 900 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.3 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3878:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK3878?
Los reemplazos compatibles para el 2SK3878 incluyen: 2SK3757, 2SK3766, 2SK3767, 2SK3798, 2SK3799, 2SK3842, 2SK3843, 2SK3845, 2SK3880, 2SK3940, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK3878?
El 2SK3878 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SC65 TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3878?
El 2SK3878 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 900.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 9.000 A.