2SK3879
MOSFET
N-Channel
2-10S2B
Parametros Principales
Vds Max.
800.000 V
Id Max.
6.500 A
RDSon
1.3500 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
80.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | 2-10S2B |
| tr - Rise Time | 35 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 140 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 6.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 80 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 800 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.35 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3879:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK3879?
Los reemplazos compatibles para el 2SK3879 incluyen: 2SK3878, 2SK3793, 2SK3794, 2SK3794-Z, 2SK385, 2SK386, 2SK3863, 2SK3864, 2SK3868, 2SK389, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK3879?
El 2SK3879 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado 2-10S2B.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3879?
El 2SK3879 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 800.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 6.500 A.