2SK3889-01L
MOSFET
N-Channel
TO262
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
9.000 A
RDSon
1.0000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
165.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO262 |
| tr - Rise Time | 6 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 130 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 9 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 165 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3889-01L:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK3889-01L?
Los reemplazos compatibles para el 2SK3889-01L incluyen: 13N50, 2SK3479, 2SK3479-S, 2SK3479-Z, 2SK3479-ZJ, 2SK349, 2SK350, 2SK3501-01, 2SK3504-01, 2SK3889-01S, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK3889-01L?
El 2SK3889-01L es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO262.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3889-01L?
El 2SK3889-01L tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 9.000 A.