2SK3900-ZP
MOSFET
N-Channel
TO263
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
82.000 A
RDSon
0.0080 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
104.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO263 |
| tr - Rise Time | 11 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 660 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 82 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 104 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.008 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3900-ZP:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK3900-ZP?
Los reemplazos compatibles para el 2SK3900-ZP incluyen: 2SK389, 2SK3900, 2SK3899, 2SK350, 2SK3501-01, 2SK3504-01, 2SK3889-01L, 2SK3889-01S, 2SK3889-01SJ, 2SK3891-01R, y 10 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK3900-ZP?
El 2SK3900-ZP es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3900-ZP?
El 2SK3900-ZP tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 82.000 A.