2SK3979
MOSFET
N-Channel
TO251 TO252
Parametros Principales
Vds Max.
200.000 V
Id Max.
6.000 A
RDSon
0.4500 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
20.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO251 TO252 |
| tr - Rise Time | 26 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 85 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 6 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 20 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 200 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.45 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK3979:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK3979?
Los reemplazos compatibles para el 2SK3979 incluyen: 2SK3940, 2SK3935, 2SK3947, AO3407, 2SK3936, 2SK3943-ZP, 2SK4118LS, 2SK3977, 2SK3978.
¿Que tipo de transistor es el 2SK3979?
El 2SK3979 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO251 TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK3979?
El 2SK3979 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 200.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 6.000 A.