2SK4006-01SJ
MOSFET
N-Channel
TO263
Parametros Principales
Vds Max.
900.000 V
Id Max.
9.000 A
RDSon
1.5800 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
270.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO263 |
| tr - Rise Time | 12 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 140 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 9 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 270 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 900 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.58 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK4006-01SJ:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK4006-01SJ?
Los reemplazos compatibles para el 2SK4006-01SJ incluyen: 2SK4003, 2SK4002, 2SK4212-ZK, 2SK4213A-ZK, 2SK4213-ZK, 2SK4178-S27-AY, 2SK4004-01MR, 2SK4005-01MR, 2SK4006-01L, 2SK4006-01S, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK4006-01SJ?
El 2SK4006-01SJ es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK4006-01SJ?
El 2SK4006-01SJ tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 900.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 9.000 A.