2SK4066-DL-E

MOSFET N-Channel TO263

Parametros Principales

Vds Max. 60.000 V
Id Max. 100.000 A
RDSon 0.0047 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 90.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO263
tr - Rise Time 630 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 1200 pF
|Id| - Maximum Drain Current 100 A
Pd - Maximum Power Dissipation 90 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 60 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.0047 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK4066-DL-E:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2SK4066-DL-E?

Los reemplazos compatibles para el 2SK4066-DL-E incluyen: 2SK4065-DL-1E, 2SK3355, 2SK3355-Z, 2SK3357, 2SK3362-01, 2SK3363-01, 2SK3364-01, 2SK4066-1E, 2SK4066-DL-1E, 2SK4066-E, y 11 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2SK4066-DL-E?

El 2SK4066-DL-E es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263.

¿Cual es el voltaje maximo del 2SK4066-DL-E?

El 2SK4066-DL-E tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 100.000 A.

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