2SK4066-E
MOSFET
N-Channel
TO263 TO262
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
100.000 A
RDSon
0.0047 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
90.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO263 TO262 |
| tr - Rise Time | 630 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1200 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 100 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 90 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0047 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK4066-E:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK4066-E?
Los reemplazos compatibles para el 2SK4066-E incluyen: 2SK4065-DL-1E, 2SK3355-Z, 2SK3357, 2SK3362-01, 2SK3363-01, 2SK3364-01, 2SK4066-1E, 2SK4066-DL-1E, 2SK4066-DL-E, 2SK4069-S27-AY, y 10 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK4066-E?
El 2SK4066-E es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263 TO262.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK4066-E?
El 2SK4066-E tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 100.000 A.