2SK4080-ZK-E1-AY
MOSFET
N-Channel
TO252
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
48.000 A
RDSon
0.0090 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
29.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| tr - Rise Time | 5.3 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 290 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 48 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 29 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.009 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK4080-ZK-E1-AY:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK4080-ZK-E1-AY?
Los reemplazos compatibles para el 2SK4080-ZK-E1-AY incluyen: 13N50, 2SK4076-ZK, 2SK4077-ZK, 2SK4078B-ZK, 2SK4078-ZK, 2SK4079, 2SK4079A, 2SK4066-1E, 2SK4066-DL-1E, 2SK4066-DL-E, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK4080-ZK-E1-AY?
El 2SK4080-ZK-E1-AY es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK4080-ZK-E1-AY?
El 2SK4080-ZK-E1-AY tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 48.000 A.