2SK410
MOSFET
N-Channel
RFPAK-A
Parametros Principales
Vds Max.
180.000 V
Id Max.
8.000 A
RDSon
1.0000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
120.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | RFPAK-A |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 75 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 8 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 120 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 180 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK410:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK410?
Los reemplazos compatibles para el 2SK410 incluyen: 2SK4094, 2SK4097LS, AP2426GEY-HF, AP2428GEY, AP2428GN3, AP2430GN3-HF, AP2434GN3-HF, 2SK4037, 2SK404, 2SK4042, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK410?
El 2SK410 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado RFPAK-A.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK410?
El 2SK410 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 180.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 8.000 A.