2SK417
MOSFET
N-Channel
2-10K1B
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
0.1000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
60.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | 2-10K1B |
| tr - Rise Time | 100 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 800 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 60 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.1 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK417:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK417?
Los reemplazos compatibles para el 2SK417 incluyen: 2SK4150, 2SK4151, 2SK404, 2SK4042, 2SK410, 2SK413, 2SK414, 2SK415, 2SK416L, 2SK416S, y 10 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK417?
El 2SK417 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado 2-10K1B.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK417?
El 2SK417 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.