2SK4181-TL-E

MOSFET N-Channel ZP

Parametros Principales

Vds Max. 525.000 V
Id Max. 7.500 A
RDSon 0.9200 Ω
Vgs Max. 30.000 V
Potencia Max. 70.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package ZP
tr - Rise Time 60 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 125 pF
|Id| - Maximum Drain Current 7.5 A
Pd - Maximum Power Dissipation 70 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 30 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 525 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.92 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK4181-TL-E:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2SK4181-TL-E?

Los reemplazos compatibles para el 2SK4181-TL-E incluyen: 2SK4171, 2SK416S, 2SK417, 2SK3575, 2SK3575-S, 2SK3575-Z, 2SK3575-ZK, 2SK3576, 2SK3577, 2SK358, y 11 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2SK4181-TL-E?

El 2SK4181-TL-E es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado ZP.

¿Cual es el voltaje maximo del 2SK4181-TL-E?

El 2SK4181-TL-E tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 525.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 7.500 A.

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