2SK512
MOSFET
N-Channel
TO3
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
12.000 A
RDSon
0.5500 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
125.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| tr - Rise Time | 45 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 400 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 12 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.55 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK512:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK512?
Los reemplazos compatibles para el 2SK512 incluyen: 2SK439, 2SK443, 2SK444, 2SK445, 2SK447, 2SK492, 2SK494, 2SK511, 2SK522, 2SK525, y 10 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK512?
El 2SK512 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK512?
El 2SK512 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 12.000 A.