2SK530
MOSFET
N-Channel
2-10L1B
Parametros Principales
Vds Max.
400.000 V
Id Max.
5.000 A
RDSon
1.0000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
40.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | 2-10L1B |
| tr - Rise Time | 25 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 180 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 40 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 400 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK530:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK530?
Los reemplazos compatibles para el 2SK530 incluyen: 2SK447, 2SK492, 2SK494, 2SK511, 2SK512, 2SK522, 2SK525, 2SK526, 2SK531, 2SK532, y 10 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK530?
El 2SK530 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado 2-10L1B.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK530?
El 2SK530 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 400.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 5.000 A.