2SK556
MOSFET
N-Channel
TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
450.000 V
Id Max.
12.000 A
RDSon
0.5500 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| tr - Rise Time | 85 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 720 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 12 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 100 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 450 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.55 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK556:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK556?
Los reemplazos compatibles para el 2SK556 incluyen: 2SK546, 2SK549, 2SK55, 2SK4092, 2SK4094-1E, 2SK4096LS-1E, 2SK529, 2SK552, 2SK553, 2SK554, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK556?
El 2SK556 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK556?
El 2SK556 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 450.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 12.000 A.