2SK562
MOSFET
N-Channel
TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
50.000 V
Id Max.
39.000 A
RDSon
0.0400 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
125.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 39 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 50 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.04 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK562:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK562?
Los reemplazos compatibles para el 2SK562 incluyen: 125N10T, 2SJ156, 2SJ171, 2SK56, 2SK559, 2SK560, 2SK554, 2SK555, 2SK556, 2SK557, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK562?
El 2SK562 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK562?
El 2SK562 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 50.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 39.000 A.