2SK579L
MOSFET
N-Channel
DPAK
Parametros Principales
Vds Max.
450.000 V
Id Max.
1.500 A
RDSon
3.5000 Ω
Vgs Max.
15.000 V
Potencia Max.
20.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | DPAK |
| tr - Rise Time | 20 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 95 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 1.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 20 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 15 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 450 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 3.5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK579L:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK579L?
Los reemplazos compatibles para el 2SK579L incluyen: AP4563AGH-HF, AP4563GH-HF, AP4563GM, AP4569GD, 2SK56, 2SK559, 2SK560, 2SK578, 2SK580L, 2SK579S, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK579L?
El 2SK579L es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado DPAK.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK579L?
El 2SK579L tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 450.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 1.500 A.