2SK60
MOSFET
N-Channel
TO3
Parametros Principales
Vds Max.
170.000 V
Id Max.
2.500 A
RDSon
16.0000 Ω
Potencia Max.
63.000 W
Tj Max.
120.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 2.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 63 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 120 °C |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 170 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 16 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK60:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK60?
Los reemplazos compatibles para el 2SK60 incluyen: 2SJ238, 2SJ559, 2SK596S, 2SK580L, 2SK580S, 2SK583, 2SK596, 2SK596S-B, 2SK591, BLL6H1214-500, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK60?
El 2SK60 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK60?
El 2SK60 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 170.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 2.500 A.