2SK610
MOSFET
N-Channel
TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
400.000 V
Id Max.
3.000 A
RDSon
3.0000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
80.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 3 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 80 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 400 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 3 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK610:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK610?
Los reemplazos compatibles para el 2SK610 incluyen: 2SK596S, AO4407, 2SK601, 2SK606, 2SK596S-B, 2SK399, 2SK400, 2SK429, 2SK562, 2SK564, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK610?
El 2SK610 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK610?
El 2SK610 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 400.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 3.000 A.