2SK630
MOSFET
N-Channel
TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
160.000 V
Id Max.
5.000 A
RDSon
0.5000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
40.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 40 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 160 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK630:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK630?
Los reemplazos compatibles para el 2SK630 incluyen: 2SK620, AON6426, 2SK615, 2SK602, 2SK604, 2SK610, 2SK616, 2SK617, 2SK622, 2SK627, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK630?
El 2SK630 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK630?
El 2SK630 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 160.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 5.000 A.