2SK638
MOSFET
N-Channel
TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
800.000 V
Id Max.
3.000 A
RDSon
5.0000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
80.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 3 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 80 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 800 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK638:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK638?
Los reemplazos compatibles para el 2SK638 incluyen: 2SK630, 2SK631, 2SK632, 2SK633, 2SK634, 2SK635, 2SK636, 2SK637, 2SK667, 2SK745, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK638?
El 2SK638 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK638?
El 2SK638 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 800.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 3.000 A.