2SK646
MOSFET
N-Channel
TO3
Parametros Principales
Vds Max.
1200.000 V
Id Max.
4.000 A
RDSon
1.5000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
125.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| ton - Turn-on Time | 80 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 300 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 4 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 1200 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK646:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK646?
Los reemplazos compatibles para el 2SK646 incluyen: 2SK641, 2SK642, 2SK3432-Z, 2SK3432-ZJ, 2SK3433, 2SK3433-S, 2SK3433-Z, 2SK3433-ZJ, 2SK643, 2SK644, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK646?
El 2SK646 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK646?
El 2SK646 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 1200.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.000 A.