2SK659
MOSFET
N-Channel
TO220
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
12.000 A
RDSon
0.0750 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
35.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220 |
| tr - Rise Time | 75 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 600 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 12 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 35 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.075 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK659:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK659?
Los reemplazos compatibles para el 2SK659 incluyen: 2SK655, 2SK656, 2SK657, 2SK2552, 2SK2645-01MR, 2SK2654-01, 2SK2761-01MR, 2SK2765-01, 2SK3496-01MR, 2SK3683-01MR, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK659?
El 2SK659 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK659?
El 2SK659 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 12.000 A.