2SK660
MOSFET
N-Channel
SST
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
0.010 A
RDSon
1000.0000 Ω
Potencia Max.
0.100 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SST |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1.5 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.01 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.1 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1000 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK660:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK660?
Los reemplazos compatibles para el 2SK660 incluyen: 2SK655, 2SK656, 2SK657, 2SK659, 2SK65, 2SK646, 2SK514, 2SK518, 2SK519, 2SK523, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK660?
El 2SK660 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SST.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK660?
El 2SK660 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.010 A.