2SK667
MOSFET
N-Channel
TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
400.000 V
Id Max.
8.000 A
RDSon
1.5000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
80.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 8 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 80 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 400 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK667:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK667?
Los reemplazos compatibles para el 2SK667 incluyen: 2SK657, 2SK659, 2SK662, 2SK663, 2SK664, 2SK665, 2SK631, 2SK632, 2SK633, 2SK634, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK667?
El 2SK667 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK667?
El 2SK667 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 400.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 8.000 A.