2SK669
MOSFET
N-Channel
SPA
Parametros Principales
Vds Max.
50.000 V
Id Max.
0.100 A
RDSon
20.0000 Ω
Vgs Max.
12.000 V
Potencia Max.
0.200 W
Tj Max.
125.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SPA |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 6 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.1 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 125 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 12 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 50 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 20 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK669:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK669?
Los reemplazos compatibles para el 2SK669 incluyen: 2SK659, AP6679GP, AP6679GP-A-HF, AP6679GR, AP6679GS-A-HF, 2SK662, 2SK663, 2SK664, 2SK665, 2SK704, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK669?
El 2SK669 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SPA.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK669?
El 2SK669 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 50.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.100 A.