2SK808
MOSFET
N-Channel
TO-220
Parametros Principales
Vds Max.
800.000 V
Id Max.
1.000 A
RDSon
4.7000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
45.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-220 |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 75 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 1 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 45 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 800 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 4.7 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK808:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK808?
Los reemplazos compatibles para el 2SK808 incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, AP6683GYT-HF, AP6800GEO, AP6900GSM, AP6901AGSM-HF, AP6901GSM-HF, 2SK800, 2SK805, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK808?
El 2SK808 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-220.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK808?
El 2SK808 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 800.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 1.000 A.