2SK809
MOSFET
N-Channel
TO-3P
Parametros Principales
Vds Max.
800.000 V
Id Max.
5.000 A
RDSon
1.5000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-3P |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 220 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 100 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 800 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK809:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK809?
Los reemplazos compatibles para el 2SK809 incluyen: 2N60, 2SK711, 2SK704, 2SK709, AP6900GSM, AP6901AGSM-HF, AP6901GSM-HF, 2SK800, 2SK805, 2SK806, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK809?
El 2SK809 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK809?
El 2SK809 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 800.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 5.000 A.