2SK810
MOSFET
N-Channel
TO220
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
14.000 A
RDSon
0.1800 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
60.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220 |
| tr - Rise Time | 20 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 400 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 14 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 60 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.18 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK810:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK810?
Los reemplazos compatibles para el 2SK810 incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, 2SK4179, 2SK4203LS, 2SK4204LS, 2SK4227JS, 2SK430L, 2SK430S, 2SK591, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK810?
El 2SK810 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK810?
El 2SK810 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 14.000 A.