2SK812
MOSFET
N-Channel
TO-220
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
27.000 A
RDSon
0.1000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
60.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-220 |
| tr - Rise Time | 10 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 520 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 27 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 60 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.1 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK812:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK812?
Los reemplazos compatibles para el 2SK812 incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, AP6901GSM-HF, 2SK800, 2SK805, 2SK806, 2SK808, 2SK808A, 2SK809, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK812?
El 2SK812 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-220.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK812?
El 2SK812 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 27.000 A.