2SK829
MOSFET
N-Channel
TO-3P
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
15.000 A
RDSon
0.4700 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
120.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-3P |
| tr - Rise Time | 45 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 480 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 15 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 120 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.47 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK829:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK829?
Los reemplazos compatibles para el 2SK829 incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, 2SK809A, 2SK812, 2SK817, 2SK821, 2SK823, 2SK824, 2SK825, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK829?
El 2SK829 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK829?
El 2SK829 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 15.000 A.