2SK855
MOSFET
N-Channel
TO220AB
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
5.000 A
RDSon
1.5000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
50.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220AB |
| tr - Rise Time | 15 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 175 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 50 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK855:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK855?
Los reemplazos compatibles para el 2SK855 incluyen: 13N50, 2SK711, 2SK704, 2SK709, 2SK3690-01, 2SK3691-01MR, 2SK819, 2SK831, 2SK833, 2SK849, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK855?
El 2SK855 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220AB.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK855?
El 2SK855 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 5.000 A.