2SK899
MOSFET
N-Channel
TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
18.000 A
RDSon
0.3300 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
125.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| ton - Turn-on Time | 130 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 330 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 18 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.33 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK899:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK899?
Los reemplazos compatibles para el 2SK899 incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, AON7410, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK705, 2SK799, 2SK801, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK899?
El 2SK899 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK899?
El 2SK899 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 18.000 A.