2ST501T
BJT
NPN
TO-220C
Parametros Principales
Vce Max.
330.000 V
Vcb Max.
500.000 V
Ic Max.
8.000 A
hFE Min
2000.000
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-220C |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 8 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 500 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 330 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 100 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 2000 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2ST501T:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2ST501T?
Los reemplazos compatibles para el 2ST501T incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SC5198, 2N3171H, 2N3772J, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2ST501T?
El 2ST501T es un transistor BJT NPN en encapsulado TO-220C.
¿Cual es el voltaje maximo del 2ST501T?
El 2ST501T tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 330.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 8.000 A.