2T3309B
BJT
PNP
TO92
Parametros Principales
Vce Max.
20.000 V
Vcb Max.
25.000 V
Ic Max.
0.100 A
hFE Min
200.000
Potencia Max.
0.300 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO92 |
| Polarity | PNP |
| SMD Transistor Code | 79 |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 150 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.1 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 25 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 20 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.3 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 200 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2T3309B:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2T3309B?
Los reemplazos compatibles para el 2T3309B incluyen: 2N4401, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2T3309B?
El 2T3309B es un transistor BJT PNP en encapsulado TO92.
¿Cual es el voltaje maximo del 2T3309B?
El 2T3309B tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 20.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.100 A.