2T3512
BJT
NPN
TO92
Parametros Principales
Vce Max.
18.000 V
Vcb Max.
20.000 V
Ic Max.
0.150 A
hFE Min
270.000
Potencia Max.
0.200 W
Tj Max.
125.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO92 |
| Polarity | NPN |
| SMD Transistor Code | 12 |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 120 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.15 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 20 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 18 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 125 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.2 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 270 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2T3512:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2T3512?
Los reemplazos compatibles para el 2T3512 incluyen: 2SB688, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2T3512?
El 2T3512 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO92.
¿Cual es el voltaje maximo del 2T3512?
El 2T3512 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 18.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.150 A.