2T610B

BJT NPN KT-16-2

Parametros Principales

Vce Max. 26.000 V
Vcb Max. 26.000 V
Ic Max. 0.300 A
hFE Min 20.000
Potencia Max. 1.500 W
Tj Max. 125.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package KT-16-2
Polarity NPN
SMD Transistor Code 2Т610Б
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 700 MHz
Maximum Collector Current |Ic max| 0.3 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 4 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 26 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 26 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 125 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 1.5 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 20

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2T610B:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2T610B?

Los reemplazos compatibles para el 2T610B incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, 8550, y 16 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2T610B?

El 2T610B es un transistor BJT NPN en encapsulado KT-16-2.

¿Cual es el voltaje maximo del 2T610B?

El 2T610B tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 26.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.300 A.

Scroll al inicio