2T635A
BJT
NPN
KT2-7
Parametros Principales
Vce Max.
60.000 V
Vcb Max.
60.000 V
Ic Max.
1.000 A
hFE Min
25.000
Potencia Max.
0.500 W
Tj Max.
125.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | KT2-7 |
| Polarity | NPN |
| SMD Transistor Code | 2Т635А |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 250 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 1 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 60 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 60 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 125 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.5 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 25 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2T635A:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2T635A?
Los reemplazos compatibles para el 2T635A incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, 2T624A-2, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2T635A?
El 2T635A es un transistor BJT NPN en encapsulado KT2-7.
¿Cual es el voltaje maximo del 2T635A?
El 2T635A tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 60.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.000 A.