2TD8307A9
BJT
NPN
KT-99-1
Parametros Principales
Vce Max.
40.000 V
Vcb Max.
80.000 V
Ic Max.
2.000 A
hFE Min
3000.000
Potencia Max.
5.000 W
Tj Max.
125.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | KT-99-1 |
| Polarity | NPN |
| SMD Transistor Code | 2ТД8307А9 |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 2 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 80 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 40 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 125 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 5 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 3000 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2TD8307A9:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2TD8307A9?
Los reemplazos compatibles para el 2TD8307A9 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N6316, 2N6931, 2N6932, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2TD8307A9?
El 2TD8307A9 es un transistor BJT NPN en encapsulado KT-99-1.
¿Cual es el voltaje maximo del 2TD8307A9?
El 2TD8307A9 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 40.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 2.000 A.