30A02MH-TL-H

BJT PNP SOT323

Parametros Principales

Vce Max. 30.000 V
Vcb Max. 30.000 V
Ic Max. 0.700 A
hFE Min 200.000
Potencia Max. 0.600 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SOT323
Polarity PNP
SMD Transistor Code AL
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 520 MHz
Collector Capacitance (Cc) 4.7 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 0.7 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 30 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 30 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.6 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 200

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 30A02MH-TL-H:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 30A02MH-TL-H?

Los reemplazos compatibles para el 30A02MH-TL-H incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 1DI50MA-050, 1DI75E-055, 1DI75E-100, y 13 mas.

¿Que tipo de transistor es el 30A02MH-TL-H?

El 30A02MH-TL-H es un transistor BJT PNP en encapsulado SOT323.

¿Cual es el voltaje maximo del 30A02MH-TL-H?

El 30A02MH-TL-H tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 30.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.700 A.

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