30C02CH-TL-E

BJT NPN TO236

Parametros Principales

Vce Max. 30.000 V
Vcb Max. 40.000 V
Ic Max. 0.700 A
hFE Min 300.000
Potencia Max. 0.700 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO236
Polarity NPN
SMD Transistor Code CL
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 540 MHz
Collector Capacitance (Cc) 3.3 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 0.7 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 40 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 30 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.7 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 300

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 30C02CH-TL-E:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 30C02CH-TL-E?

Los reemplazos compatibles para el 30C02CH-TL-E incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 1DI75E-055, 1DI75E-100, 1DI75F-055, y 14 mas.

¿Que tipo de transistor es el 30C02CH-TL-E?

El 30C02CH-TL-E es un transistor BJT NPN en encapsulado TO236.

¿Cual es el voltaje maximo del 30C02CH-TL-E?

El 30C02CH-TL-E tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 30.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.700 A.

Scroll al inicio