30C02S
BJT
NPN
SMCP
Parametros Principales
Vce Max.
30.000 V
Vcb Max.
40.000 V
Ic Max.
0.600 A
hFE Min
300.000
Potencia Max.
0.200 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SMCP |
| Polarity | NPN |
| SMD Transistor Code | YM |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 540 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 3.3 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.6 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 40 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 30 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.2 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 300 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 30C02S:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 30C02S?
Los reemplazos compatibles para el 30C02S incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 183T2C, 2SA2122G, 2SC5487, y 4 mas.
¿Que tipo de transistor es el 30C02S?
El 30C02S es un transistor BJT NPN en encapsulado SMCP.
¿Cual es el voltaje maximo del 30C02S?
El 30C02S tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 30.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.600 A.